[发明专利]一种动态存储器及其制作方法、存储装置在审

专利信息
申请号: 202210465087.4 申请日: 2022-04-25
公开(公告)号: CN116133405A 公开(公告)日: 2023-05-16
发明(设计)人: 王祥升;王桂磊;赵超 申请(专利权)人: 北京超弦存储器研究院
主分类号: H10B12/00 分类号: H10B12/00
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 张筱宁;王存霞
地址: 100176 北京市大兴区北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本申请提供一种动态存储器及其制作方法、存储装置,动态存储器包括衬底和层叠的设置在衬底上的多个存储阵列,存储阵列包括多个阵列排布的存储单元,存储单元包括晶体管和电容。动态存储器的字线位于晶体管的栅极处并与晶体管连接,位线贯穿多个存储单元,多个存储单元中的晶体管通过位线连接。通过将包括多个存储单元的存储阵列层叠设置,形成了具有立体结构的动态存储器,在提高了动态存储器存储容量的同时,使得存储单元的结构布局更加紧凑。另一方面,通过使位线贯穿多个存储单元,多个层叠设置的晶体管通过一个位线即可实现连接,由此简化了动态存储器的结构和制作工艺。
搜索关键词: 一种 动态 存储器 及其 制作方法 存储 装置
【主权项】:
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