[发明专利]一种过渡金属硫族化合物薄层材料及其制备方法和应用

摘要

本发明属于二维半导体材料技术领域，提供了一种过渡金属硫族化合物薄层材料及其制备方法和应用，本发明通过采用过渡金属氧化物和碘盐作为过渡金属元素源，将硫族元素源与过渡金属元素源在保护气体的氛围下，在衬底上进行化学气相沉积反应，本发明的制备方法可在不超过一分钟的时间内制得晶畴尺寸为10～600μm的过渡金属硫族化合物薄层材料，厚度为0.7～20nm，缺陷浓度不超过1.5×1012个/cm2，形貌良好，均匀性好，光学、电学等性能优异，可以应用于微纳结构器件、光学器件、光电器件、化学生物传感器或电化学催化等领域。