[发明专利]制作工艺、半导体存储器件及半导体工艺设备在审
| 申请号： | 202210467297.7 | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN114864816A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 王宽冒;赵可可;傅新宇 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/00;C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 兰天爵 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体存储器件的制作工艺、半导体存储器件及半导体工艺设备，该制作工艺包括：S100、在晶圆上溅射沉积底电极薄膜；S200、在底电极薄膜上溅射沉积一定厚度的富氧状态的阻变薄膜；S300、对富氧状态的阻变薄膜的预设厚度的部分进行还原，以使阻变薄膜的预设厚度的部分由富氧状态变为缺氧状态；其中，富氧状态的氧元素的含量大于缺氧状态的氧元素的含量；S400、循环执行步骤S200和S300，依次沉积多层所述阻变薄膜，直至多层阻变薄膜的总厚度达到第一厚度，以形成阻变层；S500、在所述阻变层上溅射沉积顶电极薄膜。上述方案能够解决半导体存储器件的性能较差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 工艺 半导体 存储 器件 工艺设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210467297.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
