[发明专利]一种Si衬底上的InN-ⅥA族异质结及其制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种Si衬底上的InN‑ⅥA族异质结及其制备方法与应用。该异质结包括Si衬底、生长在所述Si衬底上的InN纳米柱和生长在所述InN纳米柱上的ⅥA族薄膜。所述ⅥA族薄膜包括In2O3薄膜和In2Se3薄膜；所述In2O3薄膜附着在所述InN纳米柱上，所述In2Se3薄膜附着在所述In2O3薄膜上。本发明的基于Si衬底上的InN‑ⅥA族异质结能显著提高InN纳米柱的光电转换效率；同时，该制备方法工艺简单、成本低，为其它半导体复合催化材料的制备提供了一种新型的思路。最后，本发明公开的基于Si衬底上的InN纳米柱‑ⅥA族异质结具有较大的比表面积，对太阳光有较强的吸收，适用于光电解水产氢。