[发明专利]半导体结构的形成方法在审

专利信息
申请号: 202210470835.8 申请日: 2022-04-28
公开(公告)号: CN114864397A 公开(公告)日: 2022-08-05
发明(设计)人: 程超 申请(专利权)人: 广州粤芯半导体技术有限公司
主分类号: H01L21/3205 分类号: H01L21/3205;H01L21/3213
代理公司: 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 代理人: 竹励萍
地址: 510000 广东省广州*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种半导体结构的形成方法,包括:提供一衬底,衬底上包括硅区域和非硅区域;形成金属材料层,金属材料层包括钴;执行第一退火工艺,以使金属材料层在硅区域形成金属硅化物;执行湿法蚀刻工艺,利用氨水与双氧水的混合液去除未反应的钴,并在衬底进入氨水与双氧水的混合液前开启兆声装置,以利用兆声装置发出的兆声波防止混合液中的氧化钴结晶析出并附着于衬底的表面。本发明中,提前开启混合液的兆声装置,利用兆声装置发出的兆声波使得混合液本身的能量更大,提高混合液对氧化钴的溶解度,以形成不利于结晶析出氧化钴的环境,从而避免衬底进入混合液时氧化钴结晶析出并附着于衬底表面的问题。
搜索关键词: 半导体 结构 形成 方法
【主权项】:
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