[发明专利]半导体结构的形成方法在审
申请号: | 202210470835.8 | 申请日: | 2022-04-28 |
公开(公告)号: | CN114864397A | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 程超 | 申请(专利权)人: | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/3205 | 分类号: | H01L21/3205;H01L21/3213 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 竹励萍 |
地址: | 510000 广东省广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种半导体结构的形成方法,包括:提供一衬底,衬底上包括硅区域和非硅区域;形成金属材料层,金属材料层包括钴;执行第一退火工艺,以使金属材料层在硅区域形成金属硅化物;执行湿法蚀刻工艺,利用氨水与双氧水的混合液去除未反应的钴,并在衬底进入氨水与双氧水的混合液前开启兆声装置,以利用兆声装置发出的兆声波防止混合液中的氧化钴结晶析出并附着于衬底的表面。本发明中,提前开启混合液的兆声装置,利用兆声装置发出的兆声波使得混合液本身的能量更大,提高混合液对氧化钴的溶解度,以形成不利于结晶析出氧化钴的环境,从而避免衬底进入混合液时氧化钴结晶析出并附着于衬底表面的问题。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造