[发明专利]氧化镓垂直场效应晶体管制备方法及场效应晶体管在审
| 申请号： | 202210471151.X | 申请日： | 2022-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN114743883A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 刘宏宇;吕元杰;王元刚;卜爱民;许靖;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 刘少卿 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种氧化镓垂直场效应晶体管制备方法及场效应晶体管，上述方法包括：在氧化镓衬底的上表面生长氧化镓沟道层；对氧化镓沟道层进行离子注入掺杂，形成源区；其中，离子注入的深度小于氧化镓沟道层的厚度；在氧化镓沟道层上生长掩膜层；对氧化镓沟道层上未被掩膜层覆盖的区域进行刻蚀，形成多个沟槽；在多个沟槽及多个沟槽之间的凸台上生长P型介质层及栅电极层；去除掩膜层；在凸台上制备源电极；其中，源电极连通各个凸台；在氧化镓衬底的下表面制备漏电极。本发明采用自对准技术，通过P型介质层形成PN结，制备过程简单，降低了垂直场效应晶体管的制备难度。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 垂直 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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