[发明专利]具有膜沉积控制特征的基座在审
| 申请号： | 202210472494.8 | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN115261980A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | S.黄;J.苏;林兴;A.德莫斯;R.奈克;王文涛;M.古德曼;R.斯科特;A.卡杰巴夫拉瓦;R.詹姆斯;Y.阿尔万迪-塔布里兹;C.米斯金 | 申请（专利权）人： | ASMIP私人控股有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12;C30B25/08;C23C16/458;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 基座具有圆形凹穴部分、环形凸缘部分和环形边缘凸缘部分。圆形凹穴部分沿着旋转轴线布置，并且具有穿孔表面。环形凸缘部分围绕凹穴部分周向延伸，并具有从穿孔表面轴向向上倾斜的凸缘表面。边缘部分围绕凸缘部分周向延伸，并通过基座的凸缘部分连接到凹穴部分。基座具有位于穿孔表面径向外侧的调整凹穴、接触中断、前体排放口和吹扫通道中的一个或多个，以控制膜沉积到由基座支撑的衬底上。还描述了半导体处理系统、膜沉积方法和制造基座的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沉积 控制 特征 基座 | ||
【主权项】：
暂无信息
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