[发明专利]一种LED外延片及其制造方法在审
| 申请号： | 202210473261.X | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN114824016A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 王文君;江汉;黎国昌;徐洋洋;程虎;苑树伟 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;C30B25/02;C30B25/18;C30B29/40;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本申请提供一种LED外延片及其制造方法，LED外延片的N型GaN层包括N_SL层和N_Bulk层。N_SL层包括第一N_SL层和第二N_SL层，第一N_SL层和第二N_SL层从下至上依次循环设置，N_Bulk层包括第一N_Bulk层和第二N_Bulk层。N_SL层和N_Bulk层等效形成多个电容结构，不同浓度的硅掺杂度增强电流扩散，提升LED外延片的抗静电能力。N_SL层和N_Bulk层结构设置降低生长量子阱发光层位错密度，提升量子阱发光层晶格质量。本申请提供的LED外延片在制造过程中，MOCVD设备的SiH |
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| 搜索关键词： | 一种 led 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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