[发明专利]化合物三羟基氯三硼酸铯和三羟基氯三硼酸铯双折射晶体及制备方法和用途在审

专利信息
申请号: 202210473394.7 申请日: 2022-04-29
公开(公告)号: CN114956110A 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 潘世烈;焦佳豪;张敏 申请(专利权)人: 中国科学院新疆理化技术研究所
主分类号: C01B35/18 分类号: C01B35/18;C30B29/10;C30B28/04;C30B7/04;C30B7/10;C30B7/14;G02B6/27;G02B27/28
代理公司: 乌鲁木齐中科新兴专利事务所(普通合伙) 65106 代理人: 张莉
地址: 830011 新疆维吾尔*** 国省代码: 新疆;65
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摘要: 发明涉及一种化合物三羟基氯三硼酸铯和三羟基氯三硼酸铯双折射晶体及制备方法和应用,该化合物的分子式为CsB3O3(OH)3Cl,分子量为299.81,采用温和的溶剂蒸发法制成。该晶体化学式为CsB3O3(OH)3Cl,分子量为299.81,属于单斜晶系,空间群是P21/c,晶胞参数a=8.175(3) Å,b=7.927(2) Å,c=14.096(4) Å,β=120.219(17),V=789.3(4) Å3,Z=4,采用室温溶液法或水热法生长晶体,该晶体紫外透过截止边为180 nm,双折射率约为0.109(532 nm)。本发明所述的三羟基氯三硼酸铯双折射晶体机械硬度适中,易于生长、切割、抛光加工和保存;具有较大的双折射率;在光学和通讯领域有重要应用,可用于制作偏振分束棱镜,相位延迟器件和电光调制器件等。
搜索关键词: 化合物 羟基 硼酸 双折射 晶体 制备 方法 用途
【主权项】:
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