[发明专利]量子点的制备方法在审
| 申请号： | 202210477996.X | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN114836827A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 翟慎强;李利安;辛凯耀;杨珏晗;魏钟鸣;刘峰奇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B25/16;C30B29/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种量子点制备方法，包括：采用二维材料制备二维材料衬底；将二维材料衬底置于生长腔中，升高生长腔的温度使二维材料衬底处于第一预设温度；通过分子束外延束源炉将原材料以预设密度的束流喷射至二维材料衬底的表面，使反应物以范德华外延模式在二维材料衬底的表面依次经过吸附、脱附、迁移、成核、长大的动力学反应过程以生长量子点。该方法以二维材料为衬底生长量子点，不需要特定晶格匹配条件，甚至在晶格对称性不一样的情况下，也能够实现量子点的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 制备 方法 | ||
【主权项】：
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