[发明专利]双栅结构氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202210478107.1 | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN114843337A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 徐尉宗;柏宇;陆海;杜永浩;任芳芳;周峰;周东 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双栅结构氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法。所述双栅结构氮化镓高电子迁移率晶体管包括异质结构以及源电极、漏电极、主栅电极和副栅电极；所述异质结构包括沟道层以及形成在沟道层上的势垒层，所述沟道层和势垒层之间形成有二维电子气；所述主栅电极和副栅电极分别设置在所述势垒层的主栅电极区域和副栅电极区域，所述势垒层副栅电极区域具有凹槽结构，所述副栅电极的局部设置在所述凹槽结构，所述副栅电极与所述二维电子气形成肖特基二极管。本发明实施例提供的双栅结构氮化镓高电子迁移率晶体管，实现了器件第三象限导通能力和栅极可靠性的提升，提高了器件的高可靠、高能效工作能力。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 氮化 电子 迁移率 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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