[发明专利]一种混合卤素钙钛矿激光器及制造方法在审
申请号: | 202210478365.X | 申请日: | 2022-05-05 |
公开(公告)号: | CN114976852A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 李雨晗;江钧屹 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01S5/024 | 分类号: | H01S5/024;H01S5/10;H01S5/30;C30B29/12 |
代理公司: | 苏州德萃知识产权代理有限公司 32629 | 代理人: | 王亚洲 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明提供了一种混合卤素钙钛矿激光器及制造方法,包括在避免引入绝缘的有机长链大分子的前提下,通过混合一定比例的氯、溴、碘卤素的钙钛矿前驱体溶液,调控自组装量子阱钙钛矿势垒层和阱层的分布和体积,提高钙钛矿发光层材料的电导率和散热能力,从而提高器件的发光稳定性。自组装多量子阱钙钛矿发光层是由不同禁带宽度的双混合卤素钙钛矿组合而成,其中具有宽带隙的氯/溴双混合卤素钙钛矿形成天然的“势垒”,而窄带隙的碘/溴双混合卤素钙钛矿形成天然的“势阱”。DBR作为激光腔镜,钙钛矿薄膜作为有源区,并夹在上DBR和下DBR之间。其中,上下DBR与钙钛矿接触侧均镀有50至100nm厚的Al |
||
搜索关键词: | 一种 混合 卤素 钙钛矿 激光器 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210478365.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。