[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202210480569.7 | 申请日： | 2022-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN115083916A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 王志庆;陈文园;谢文兴;程冠伦;吴忠纬;吴志强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成半导体装置的方法包括接收半导体基板。半导体基板具有顶表面并包括半导体元素。半导体基板具有形成在其上的鳍片结构。凹蚀鳍片结构以形成源极/漏极沟槽；在源极/漏极沟槽中在凹蚀的鳍片结构上方形成第一介电层；在源极/漏极沟槽的底表面下方的鳍片结构的部分之中布植掺质元素，以形成非结晶半导体层；在源极/漏极沟槽中在凹蚀的鳍片结构上方形成第二介电层；退火半导体基板；去除第一介电层与第二介电层。在退火以及去除的步骤之后，进一步凹蚀凹蚀的鳍片结构以提供顶表面。从顶表面以及在顶表面上形成外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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