[发明专利]一种低功耗相变存储器的制备方法在审
| 申请号： | 202210480717.5 | 申请日： | 2022-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN115036417A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 方文成;蔡道林;李程兴;宋志棠;冯高明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海泰博知识产权代理有限公司 31451 | 代理人： | 谢文凯 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低功耗相变存储器的制备方法。该制备方法包括：(1)在衬底上生长第一介质层，并形成圆柱状底电极；(2)在第一介质层上形成第二介质层，光刻和刻蚀形成纵向的沟槽1，(3)在沟槽1内形成“倒几字”型相变材料层，回刻蚀；(4)在形成的侧壁相变结构上生长第三电介质层，然后生长第四电介质层并填满沟槽1，抛光；(5)生长导电薄膜层，并通过光刻和刻蚀形成纵向条状导电线条；(6)生长第五电介质层，然后生长第六电介质层并填满导电线条之间的沟槽2，抛光；(7)圆孔1光刻和刻蚀，孔内填充导电材料，然后抛光，形成顶电极。该方法制备的相变材料层以片状形式存在，大大减小了相变材料的体积有利于功耗的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 相变 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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