[发明专利]一种将氧空位可控制备到三氧化钨特定晶面上的方法有效
| 申请号： | 202210481622.5 | 申请日： | 2022-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN114956183B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 刘太丰;张青岩;刘汝月;杨建军 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | B01J23/30 | 分类号： | B01J23/30 |
| 代理公司： | 苏州知途知识产权代理事务所(普通合伙) 32299 | 代理人： | 张锦波 |
| 地址： | 475001 河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种将氧空位可控制备到三氧化钨特定晶面上的方法，该制备方法包括以下步骤：S1,将二水合钨酸钠溶于去离子水中，向水溶液加入HCl连续搅拌t1，用去离子水离心彻底清洗凝胶后，将沉淀转移到HCl溶液中，室温搅拌t2，将溶液转移到四氟乙烯内衬不锈钢高压釜中，在烘箱中保存t3，冷却至室温后，用去离子水和无水乙醇洗涤数次，干燥，将制备的前驱体进行退火处理，得到最终产物标记为WO |
||
| 搜索关键词： | 一种 空位 可控 制备 氧化钨 特定 面上 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河南大学，未经河南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210481622.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
