[发明专利]一种晶圆吸附状态的检测方法、检测装置及控制器在审
| 申请号： | 202210484432.9 | 申请日： | 2022-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN114582763A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 宋宇;张赛谦;刘婧婧;李光凯 | 申请（专利权）人： | 拓荆科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 郭化雨 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种晶圆吸附状态的检测方法、检测装置及控制器，首先，确定静电吸附装置上吸附有晶圆；静电吸附装置包括电介质和位于电介质内部的下电极，下电极用于连接直流电源，静电吸附装置上方设置有与下电极相对的上电极，上电极用于连接射频电源，上电极和晶圆之间形成有等离子体，以导通上下电极之间的回路；然后，检测静电吸附装置与直流电源之间的电流；若电流变化超过第一阈值，说明回路中晶圆下表面与电介质的上表面之间形成的电容不稳定，二者之间的距离发生较大变化，晶圆没有平稳地吸附在静电吸附装置上，则确定晶圆出现脱吸附状态。在检测过程中没有利用其它设备去接触晶圆，不会造成晶圆碎裂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 吸附 状态 检测 方法 装置 控制器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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