[发明专利]器件芯片的制造方法在审
| 申请号： | 202210484802.9 | 申请日： | 2022-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN115424944A | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 平田章紘 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;B23K26/38 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供器件芯片的制造方法，能够抑制利用激光束进行分割加工时产生的对树脂层的热影响。器件芯片的制造方法将在由呈格子状设定于正面的分割预定线划分的区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件而制造器件芯片，其中，该器件芯片的制造方法包含如下的步骤：树脂层形成步骤(1)，在晶片的正面侧形成树脂层；树脂层加工步骤(3)，在树脂层形成步骤(1)之后，从形成有树脂层的那侧沿着分割预定线以第一输出照射激光束，在树脂层上形成激光加工槽；以及晶片切断步骤(4)，在树脂层加工步骤(3)之后，以比第一输出大的第二输出沿着激光加工槽照射激光束，将晶片切断。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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