[发明专利]脉冲阴极弧/工件偏压脉冲协同控制的沉积厚的四面体非晶碳膜的方法有效
| 申请号： | 202210485242.9 | 申请日： | 2022-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN114875367B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 田修波;王本福;巩春志 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/06;C23C14/54 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： |
脉冲阴极弧/工件偏压脉冲协同控制的沉积厚的四面体非晶碳膜(ta‑C)的方法，本发明是为了解决ta‑C碳膜制备过程中较高的固有应力，限制了碳膜厚度的问题。沉积厚的ta‑C的方法：一、真空室内石墨阴极靶材与脉冲阴极弧电源连接，工件基体与工件脉冲偏压电源相连接；二、抽真空通入氩气，通过脉冲阴极弧/工件偏压脉冲协同控制放电模式沉积ta‑C碳膜，其中工件偏压脉冲中先施加多段正向短脉冲，之后的多段负向工件偏压脉冲与脉冲阴极弧多段正向脉冲保持同频率和脉宽工作。本发明通过多段正向偏压脉冲排斥Ar |
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| 搜索关键词： | 脉冲 阴极 工件 偏压 协同 控制 沉积 四面体 非晶碳膜 方法 | ||
【主权项】：
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