[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202210492430.4 | 申请日： | 2022-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN115064591A | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 沙哈吉·B·摩尔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开所描述的实施方式提供了一种半导体结构的形成方法，上述方法包括：注入掺杂剂和碳到半导体装置的基板的一部分中。上述方法还包括：在基板的部分上沉积第一硅基(silicon‑based)层，其中第一硅基层与碳反应以在基板的部分上形成扩散区。上述方法还包括：形成半导体装置的凹入部分，凹入部分延伸穿过第一硅基层以及扩散区，且部分地延伸进入基板的部分中。上述方法还包括：在凹入部分中沉积第二硅基层。上述方法还包括：蚀刻第二硅基层的一或多个部分以及基板的部分，以形成一组鳍片结构，其中鳍片结构包括第二硅基层以及注入有掺杂剂和碳的基板的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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