[发明专利]具有采样的带隙参考的CMOS图像感测在审
| 申请号： | 202210492717.7 | 申请日： | 2022-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN114938436A | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 萧锦文;斯科特·D·威廉汉姆 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/3745 |
| 代理公司： | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人： | 孙涛;毛威 |
| 地址： | 518045 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 描述了用于CMOS图像传感器(CIS)应用的采样的带隙参考生成的技术。例如，CIS包括像素阵列、一个或多个像素模数转换器(ADC)和采样的带隙参考发生器，所有这些都紧密地集成在一个芯片上。ADC依靠来自带隙参考发生器的稳定参考电平用于执行像素阵列的像素转换。采样的带隙参考生成器的实施例可以根据参考生成周期操作。每个周期可以包括第一部分和第二部分，在第一部分中，有源核心动态地稳定带隙参考电平，在第二部分中，核心被去激活，并且带隙参考电平基于该周期的先前的第一部分期间获得的采样的电平被输出。可以控制周期时序，以实现参考电平的充分动态稳定，同时减少来自核心的光子发射。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 采样 参考 cmos 图像 | ||
【主权项】：
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