[发明专利]一种GaN基异质结横向肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210492878.6 | 申请日： | 2022-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN115064577A | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 陈晓今;刘志宏;郝璐;高广杰;李蔚然;邢伟川;赵胜雷;段小玲;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基异质结横向肖特基二极管及其制备方法，制备出的二极管包括：自下而上依次层叠设置的衬底层、成核层、过渡层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层、帽层；从帽层表面开始自上而下直至沟道层内部刻蚀有凹槽，在凹槽内设置有阳极，阳极覆盖帽层的部分区域；在凹槽还设置有介质层，介质层包裹阳极直至插入层内部或势垒层内部，阳极与帽层部分区域之间设置有介质层；阳极的部分区域覆盖介质层，可以减少由阳极向各层内壁泄露电流的路径，从而降低器件工作漏电流。另外介质层可以增加阳极金属与二维电子气沟道的等效电学距离，有效减少二极管的阳极寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 基异质结 横向 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院，未经西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210492878.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
