[发明专利]一种增强型氮化镓基晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210492930.8 | 申请日： | 2022-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN114899227A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 徐美;刘志宏;樊雨佳;许淑宁;邢伟川;周瑾;杨伟涛;冯欣;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/778;H01L21/335;H01L29/10;H01L29/66 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 段俊涛 |
| 地址： | 510555 广东省广州市黄*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种增强型氮化镓基晶体管，自下而上包括衬底、复合缓冲层、沟道层和势垒层，在势垒层上设置有P型氮化物帽层、钝化层、源电极、漏电极和栅电极，P型氮化物帽层在侧面和顶面均被栅电极包围，钝化层布设于栅电极与源电极之间以及栅电极与漏电极之间；栅电极与势垒层形成肖特基接触，源电极和漏电极均与势垒层形成欧姆接触；沟道层与势垒层之间形成异质结，且极化效应在异质结界面的沟道层一侧形成二维电子气沟道。该P型氮化物帽层耗尽了沟道中的部分二维电子气，提高了器件的阈值电压，实现增强型器件的目的，P型氮化物帽层周围的栅电极解决了常规P型氮化物增强型器件栅控能力弱、导通电阻大等问题，且减小了栅长，提高了频率特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 氮化 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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