[发明专利]通过降低晶圆翘曲度提高BSI工艺稳定性的方法在审
| 申请号： | 202210494639.4 | 申请日： | 2022-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN115036204A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 赵春山;周振;张武志;曹亚民;周维 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种通过降低晶圆翘曲度提高BSI工艺稳定性的方法；利用沉积机台在衬底上生成多层薄膜层，使得衬底的晶圆翘曲度符合光刻机台的预设范围。本发明通过调整键合氧化层和硬掩膜层来增加薄膜应力，从而有效改善晶圆翘曲度。本发明不涉及设备的更换和生产线更新，而是仅在原有设备和工艺基础上优化工艺，提高了BSI工艺窗口，工艺稳定性得到显著提升。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 降低 晶圆翘 曲度 提高 bsi 工艺 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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