[发明专利]提高金属浮栅存储器擦除速度的工艺方法在审
| 申请号： | 202210494662.3 | 申请日： | 2022-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN115064440A | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 陈彩云;顾珍;张磊;王鹏;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/788 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种提高金属浮栅存储器擦除速度的工艺方法，提供衬底，在衬底上形成有形成覆盖刻蚀停止层、层间介质层的第四氧化层，之后利用含氮等离子对第四氧化层掺杂，之后进行退火；在第四氧化层上形成第五氧化层。本发明通过对氧化层界面进行预处理，通过对氧化层层氮化处理，降低势垒高度，从而使TIN中电子更容易通过氧化层界面，从而实现改善擦除性能。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 金属 存储器 擦除 速度 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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