[发明专利]用于受控形成含氧薄膜的等离子体增强沉积方法在审
| 申请号： | 202210497733.5 | 申请日： | 2018-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN114875388A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | L·贾;V·J·鲍尔;M·图米恩;S·J·吉姆;O·马迪亚 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50;C23C16/30;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/52;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 颜芳 |
| 地址： | 荷兰，*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及用于受控形成含氧薄膜的等离子体增强沉积方法。提供了用于在反应空间中的衬底上控制含氧薄膜诸如碳氧化硅(SiOC)和碳氮氧化硅(SiOCN)薄膜的形成的方法。所述方法可以包括至少一个等离子体增强原子层沉积(PEALD)循环，所述循环包括使所述衬底与包含氧的硅前体和不含氧的第二反应物交替且依次地接触。在一些实施方案中，可以从一定范围中选择所述等离子体功率以实现沉积在三维特征上的膜的期望的阶梯覆盖率或湿法蚀刻速率比(WERR)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 受控 形成 薄膜 等离子体 增强 沉积 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASMIP控股有限公司，未经ASMIP控股有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210497733.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
