[发明专利]一种表面生长有异质结纳米片层的泡沫镍及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202210504090.2 申请日: 2022-05-10
公开(公告)号: CN114824180A 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 宫勇吉;金椿乔;翟朋博 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: H01M4/1397 分类号: H01M4/1397;H01M4/136;H01M4/131;H01M4/1391;H01M4/36;H01M4/48;H01M4/58;H01M10/052
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 霍苗
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及锂硫电池技术领域,尤其涉及一种表面生长有异质结纳米片层的泡沫镍及其制备方法和应用。发明提供的制备方法,包括以下步骤:将尿素、氧化剂和水混合,得到尿素溶液;将泡沫镍置于所述尿素溶液中,依次进行水热反应、退火处理和硫化反应,得到表面生长有异质结纳米片层的泡沫镍;所述异质结纳米片层中的异质结纳米片为NiO和Ni3S2的异质结纳米片,所述NiO和Ni3S2的异质结纳米片的厚度为1.7~3.2nm。利用本发明所述的制备方法制备得到的表面生长有异质结纳米片层的泡沫镍表面的异质结纳米片的厚度为1.7~3.2nm,具有更好的活性位点,且与泡沫镍的结合性强。
搜索关键词: 一种 表面 生长 有异质结 纳米 泡沫 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学,未经北京航空航天大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210504090.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top