[发明专利]一种将锗p-i-n光电二极管集成到图像传感器结构中的方法

摘要

本发明提供一种将锗p‑i‑n光电二极管集成到图像传感器结构中的方法，其涉及半导体技术领域，其通过将氢离子（H+）注入锗供体晶圆至选定深度，以确定锗转移层的厚度；通过贝塔键合锗供体晶圆和硅目标晶圆的表面，将锗转移层与锗供体晶圆分离，得到锗硅混合晶圆；研磨锗硅混合晶圆的锗转移层的表面，将掺杂元素离子硼离子（B+）注入锗硅混合晶圆顶部的锗转移层，使锗转移层靠近表面的部分被注入硼而形成掺杂锗层；在锗光电二极管层中形成像素到像素之间的隔离结构，以界定光电二极管区域。本发明以低成本、相对更简单的制造工艺实现了高速、小像素尺寸、CMOS兼容的短波红外图像传感器（具有焦平面阵列），适于工业化大规模生产。