[发明专利]凹入式存取装置和形成凹入式存取装置的方法在审
| 申请号： | 202210504765.3 | 申请日： | 2022-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN115732550A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | H·S·杨;S·H·昌;R·比勒;江平简;李希永;J·古哈;杉浦聡 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 江泰維 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及凹入式存取装置和形成凹入式存取装置的方法。一种凹入式存取装置包括在半导体材料中的沟槽中的导电栅极。栅极绝缘体沿着侧壁且在所述导电栅极与所述半导体材料之间围绕所述导电栅极的底部而延伸。一对源极/漏极区在所述沟槽的相对横向侧上在所述半导体材料的上部部分中。在所述对源极/漏极区下方在所述半导体材料中的沟道区沿着侧壁且围绕所述沟槽的底部而延伸。所述栅极绝缘体包括低k材料和高k材料。所述低k材料的特征在于其介电常数k不大于4.0。 | ||
| 搜索关键词： | 凹入式 存取 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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