[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210507122.4 | 申请日： | 2022-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN115000073A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 王春明;王绍迪 | 申请（专利权）人： | 北京知存科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人： | 魏小薇;吴丽丽 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底，包括存储器单元区域，其中，存储器单元区域包括第一漏极区域、第一沟道区域和源极区域，其中，第一沟道区域在第一漏极区域与源极区域之间延伸；第一浮置栅极，位于第一沟道区域的第一部分上方；源极多晶硅，位于源极区域上方；擦除栅极，位于源极多晶硅上方；第一选择栅极，位于第一沟道区域的第二部分上方，并且在第一浮置栅极的与源极多晶硅相对的一侧；第一编程通道，从第一漏极区域延伸到第一浮置栅极的面对第一选择栅极的边缘部位；第二编程通道，从第一漏极区域延伸到源极区域；以及第一擦除通道，从第一浮置栅极的面对擦除栅极的边缘部分延伸到擦除栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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