[发明专利]半导体器件的热氧化方法和制造方法在审
| 申请号： | 202210507480.5 | 申请日： | 2022-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN114823327A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 温芳;常东旭;陈鹏飞;墨京华;刘林兴;马月霞;盛凯悦;段荣芝 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/02;H01L21/324;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了半导体器件的热氧化方法和制造方法。该热氧化方法包括：在热氧化的升温阶段，执行至少一次升温氧化处理；在热氧化的降温阶段，执行至少一次降温氧化处理；在热氧化的恒温阶段，同时执行恒温氧化处理及热退火处理，其中，所述至少一次升温氧化处理、所述至少一次降温氧化处理和所述恒温氧化处理共同形成氧化层，所述热退火处理用于掺杂区的高温推结。该热氧化方法利用热处理的多个温度阶段组合执行多个氧化工艺以提高氧化效率，减少了热氧化的工艺时间，从而提高了产能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 氧化 方法 制造 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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