[发明专利]酸浸黄铜制备铜锌锡硫硒薄膜太阳电池前驱体溶液的方法在审
申请号: | 202210509989.3 | 申请日: | 2022-05-11 |
公开(公告)号: | CN115000239A | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
发明(设计)人: | 刘芳洋;潘逸宁;陈望献;张宗良;蒋良兴;贾明 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0445 |
代理公司: | 长沙智勤知识产权代理事务所(普通合伙) 43254 | 代理人: | 曾芳琴 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种酸浸黄铜一步法制备铜锌锡硫硒薄膜太阳电池前驱体溶液的方法,该方法通过洗涤、氧化酸浸、蒸发、添加锌盐、锡盐和硫脲这些步骤将铜锌合金制备成铜锌锡硫硒薄膜太阳电池前驱体溶液。本发明通过酸浸从废旧黄铜直接合成铜锌锡硫硒薄膜太阳电池前驱体溶液,使用有机溶剂取代通常酸浸使用的水溶液,浸出得到的溶液可直接作为铜锌锡硫硒前驱体溶液。流程短,操作简单,可以低成本高效利用再生资源制备铜锌锡硫硒薄膜太阳电池。 | ||
搜索关键词: | 黄铜 制备 铜锌锡硫硒 薄膜 太阳电池 前驱 溶液 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的