[发明专利]一种镉掺杂的铜锌锡硫硒薄膜制备方法及其在太阳能电池中的应用在审
申请号: | 202210509998.2 | 申请日: | 2022-05-11 |
公开(公告)号: | CN114899280A | 公开(公告)日: | 2022-08-12 |
发明(设计)人: | 刘芳洋;黄子仪;蒋良兴;贾明;张宗良;赵祥云;潘逸宁;陈望献;杨文通 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0445 |
代理公司: | 长沙智勤知识产权代理事务所(普通合伙) 43254 | 代理人: | 曾芳琴 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开一种镉掺杂的铜锌锡硫硒薄膜制备方法及其在太阳能电池中的应用。本发明基于有机溶剂的溶液法制备铜锌锡硫前驱体,在前驱体薄膜上通过真空工艺制备一层金属或金属化合物,再在薄膜上化学水浴法沉积一层CdS,再经过高温退火冷却就可以制备得到镉掺杂的铜锌锡硫硒薄膜,该方法制备的镉掺杂的铜锌锡硫硒薄膜晶粒尺寸大,无二次相,基于该镉掺杂的铜锌锡硫硒薄膜制备的太阳能电池短路电流密度提升明显,光电转换效率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 掺杂 铜锌锡硫硒 薄膜 制备 方法 及其 太阳能电池 中的 应用 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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