[发明专利]用于半导体成像传感器的可调阱容量像素在审
| 申请号： | 202210510411.X | 申请日： | 2022-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN115802187A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 高云飞;吴泰锡 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N25/77 | 分类号： | H04N25/77;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京合智同创知识产权代理有限公司 11545 | 代理人： | 李杰 |
| 地址： | 518045 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 提供了用于半导体成像传感器的可调阱容量像素。成像像素设计具有光电传感器块结构，该结构有助于光电二极管区域中的阱容量的动态控制(即，“阱容量调整(WCA)栅极光电传感器块”)。所述光电二极管区域包括掺杂阱，其中，光电荷响应于入射光照的曝光而累积。所述阱的容量对应于阱电势。WCA结构(例如，深沟槽区域)形成至少部分包围所述掺杂阱并与所述掺杂阱电容性耦合的壁，使得WCA结构的偏置改变阱电势和相应的阱容量。这样，所述WCA结构可以在积分期间被偏置，以将阱电势增加到用于大阱容量的高电平，并且所述WCA结构可以在光电荷传输期间被不同地偏置，以将阱电势降低到足够低的电平，从而避免滞后和/或其他传统问题。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 成像 传感器 可调 容量 像素 | ||
【主权项】：
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