[发明专利]垂直DRAM结构及方法在审
| 申请号： | 202210513414.9 | 申请日： | 2022-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN115241194A | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 游佳达;杨柏峰;李泓纬;杨世海;徐志安 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 陈蒙 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及垂直DRAM结构及方法。本公开的实施例提供了一种利用具有侧沟道晶体管的垂直设计的侧沟道动态随机存取存储器(DRAM)单元和单元阵列。电介质层设置在衬底之上。栅极电极嵌入在电介质层中。沟道层环绕栅极电极，并且导电结构与沟道层相邻，其中沟道层介于栅极电极和导电结构之间。半导体结构还包括设置在导电结构和栅极电极之上的电介质结构，沟道层向上延伸穿过电介质结构。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 dram 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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