[发明专利]一种基于外尔半导体的拓扑相变晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 202210515489.0 | 申请日： | 2022-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN115207132A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 柴扬;陈杰威 | 申请（专利权）人： | 香港理工大学深圳研究院 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/06 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 庄敏芳;谢松 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区粤海街道高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于外尔半导体的拓扑相变晶体管及制备方法，晶体管包括：外尔半导体层；源极，设置于所述外尔半导体层；漏极，设置于所述外尔半导体层，与所述源极间隔设置；栅极，与所述外尔半导体层连接；其中，在所述栅极的静电调控下所述外尔半导体层拓扑相变，以使所述基于外尔半导体的拓扑相变晶体管呈开态或关态。本发明利用外尔半导体的贝利曲率和对应的陈数可调特性，实现了陈数为0的传统半导体和陈数为1的拓扑半金属间的拓扑相变。实现具低功耗和高性能的场效应晶体管。通过静电调控，实现了10 |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 半导体 拓扑 相变 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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