[发明专利]通过多步反应烧结得到的具有极低残硅的碳化硅陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 202210522682.7 | 申请日： | 2022-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN114956852A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 杨建锋;常天骄;张南龙;孙震宇;连宦魁;潘鑫龙;王波;王继平;史忠旗 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C04B38/00 | 分类号： | C04B38/00;C04B35/573;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 弋才富 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 通过多步反应烧结得到的具有极低残硅的碳化硅陶瓷及其制备方法，设计烧结体组织中的残碳量和碳密度以保证二次反的过量碳，以及一次反应的合适碳密度，设计原料的配比；按体积百分比，将酚醛树脂13‑25％、乙二醇11‑29％加入烧杯中搅拌1h，加入碳化硅粉1％‑40％、石油焦粉0％‑15％，中间相碳微球粉1％‑55％，聚乙二醇400 0.01％‑0.8％球磨4h‑8h，加入酚醛树脂质量10％‑16％的苯磺酰氯搅拌；真空消泡后将浆料注模，保温固化，在700℃‑900℃保温碳化；碳化处理后在1450℃‑1600℃渗硅5min‑60min，升温至1700℃‑2200℃保温1h‑3h，制得极低残硅量的反应烧结碳化硅陶瓷；本发明制备的具有极低残硅含量的反应烧结碳化硅陶瓷可广泛应用于核反应堆、高导热部件及集成电路核心装备中的关键零部件。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 反应 烧结 得到 具有 极低残硅 碳化硅 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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