[发明专利]半导体制造方法在审

专利信息
申请号: 202210524087.7 申请日: 2022-05-13
公开(公告)号: CN115097702A 公开(公告)日: 2022-09-23
发明(设计)人: 曾郁玲;曾楷伦;罗元彦;李培诰;吴承昱 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G03F7/30 分类号: G03F7/30;H05F3/02
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 黄艳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请涉及一种半导体制造方法。在半导体制造中,去离子水或其他工艺流体流过非金属管道并流到半导体晶圆上。经由设置在非金属管道的外侧的导电材料释放流过非金属管道的去离子水或其他工艺流体中的静电荷。设置在非金属管道的外侧的导电材料是电接地。非金属管道可包括基于含氟聚合物的管子。在一些实施例中,非金属管道包括:与容纳晶圆的腔室或壳体连接的含氟聚合物‑防爆管道,以及通过管道接头与含氟聚合物‑防爆管道连接的第二管道,其中第二管道比含氟聚合物‑防爆管道更电绝缘。
搜索关键词: 半导体 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210524087.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top