[发明专利]一种高功率增益截止频率的InAlN/GaN HEMT及其制备方法在审
| 申请号： | 202210529732.4 | 申请日： | 2022-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN115394842A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 崔鹏;陈思衡;韩吉胜;徐现刚;林兆军;徐明升;崔潆心;钟宇;李树强;展杰 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/335;H01L29/778;H01L21/28 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 苗艳平 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高功率增益截止频率的InAlN/GaN HEMT及其制备方法，InAlN/GaNHEMT包括Si衬底、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InAlN势垒层和GaN帽层；GaN帽层上设置有源极、双栅根型栅极和漏极，且双栅根型栅极位于源极和漏极的中间，双栅根型栅极包括两个栅根和一个栅帽，两个栅根平行设置在栅帽的下方，且栅根设置在GaN帽层上。本申请提供的双栅根型栅结构可以支撑更大的栅帽，增大栅极面积，降低器件的栅电阻，提高InAlN/GaN HEMT的开关电流比，抑制漏致势垒降低效应，提高功率增益截止频率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 增益 截止频率 inaln gan hemt 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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