[发明专利]一种具有辅助栅结构的旁栅AlGaN/GaN异质结场效应晶体管及工作方法与应用在审
| 申请号： | 202210532091.8 | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN116207161A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 林兆军;周衡;吕元杰;刘阳 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L29/80 | 分类号： | H01L29/80;H01L29/423 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王楠 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有辅助栅结构的旁栅AlGaN/GaN异质结场效应晶体管及工作方法与应用，属于微电子研究技术领域，相对于具有辅助栅结构的开口栅AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，本发明引入由一对不与沟道接触、对称分布在沟道两侧且形状相同的金属电极组成的旁栅，旁栅下面的二维电子气不参与导电，只有漏‑源沟道导通，使得本发明用作低功耗A类电压放大器时，输入电压信号可以从0V开始向负偏压变化。通过对旁栅和辅助栅施加不同偏压，可以获得不同的器件工作模式，使得本发明在电路中的应用更加灵活，更适合于日益复杂的集成电路领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 辅助 结构 algan gan 异质结 场效应 晶体管 工作 方法 应用 | ||
【主权项】：
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