[发明专利]超高镍低钴单晶正极材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202210536898.9 | 申请日： | 2022-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN114975923A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 李红磊;陈志宇;吉长印;吕菲;徐宁 | 申请（专利权）人： | 天津巴莫科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/525 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300348 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种超高镍低钴单晶正极材料及其制备方法，超高镍低钴单晶正极材料包括超高镍无钴单晶内核和富钴壳层，通过复合锂盐固相法梯次煅烧实现了富钴壳层均匀包覆在超高镍低钴单晶内核的表面，采用复合锂盐作为熔融盐，相较单一锂盐具有更低的熔融温度，从而可以在相对较低温度下实现单晶颗粒的形核和快速生长，避免了过高的煅烧温度和大量熔剂的使用，解决了超高镍低钴单晶材料Li |
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| 搜索关键词： | 超高 镍低钴单晶 正极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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