[发明专利]一种锗器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种锗器件的制造方法，其包括提供一锗供体晶圆且在锗供体晶圆的锗转移层上形成第一互连层，提供一硅电路晶圆且在硅电路晶圆形成包括用于控制和读取PIN光电二极管的电路和至少一个第二互连层，进行第一互连层和第二互连层的键合以连接锗硅混合晶圆和硅电路晶圆，通过抛光和刻蚀去除硅目标晶圆、缓冲氧化层和研磨蚀刻阻挡层。本发明方法中，氢离子注入用于将锗转移层转移到硅目标晶圆上，以及在锗层中形成气泡层，使得PIN层的转移变得容易，互连层用于将硅电路晶圆和锗PIN层连接。本发明的工艺步骤简单，不会造成像锗外延可能导致产生的晶格失配。