[发明专利]一种包含横向光电二极管的图像传感器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种包含横向光电二极管的图像传感器件的制作方法，其通过制造锗硅混合晶圆来在锗硅混合晶圆上形成横向光电二极管，以形成的横向光电二极管来制造图像传感器件；锗硅混合晶圆由锗转移层和硅目标晶圆通过键合形成，硅目标晶圆的正面依次形成缓冲氧化层、研磨蚀刻阻挡层以及减反射层。通过采用可流动电介质材料来划分光电二极管阵列区域，结合可以精确控制掺杂参数的离子注入能够在光电二极管阵列区域中形成理想的光电二极管，其工艺流程简单且工艺参数都能得到精确控制。