[发明专利]一种基于负微分电阻效应的超材料太赫兹调制器

摘要

本发明提供了一种基于负微分电阻效应的超材料太赫兹调制器，属于太赫兹技术领域，调制器的结构包括超材料层、衬底层、金属板和金属电极；超材料层由周期性阵列结构组成，结构单元通过金走线与一个金属电极进行电连接，衬底层为具有负微分电阻效应的Ⅲ‑Ⅴ族半导体，金属板作为另一个金属电极；通过在两个电极上施加高偏置电压，在半导体衬底内部产生强纵向电场，引起半导体材料的负微分电阻效应，改变半导体衬底的材料性质，从而调制此器件的谐振频率和谐振强度，形成了一种电压可调的主动太赫兹超材料器件，为实现主动超材料太赫兹器件提供了一种全新的思路。