[发明专利]一种基于超材料结构的主动电调控太赫兹器件在审
| 申请号： | 202210538810.7 | 申请日： | 2022-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN114975779A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 于虹;陈颖 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L47/02 | 分类号： | H01L47/02 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 沈廉 |
| 地址： | 211102 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种基于超材料结构的主动电调控太赫兹器件，属于太赫兹技术领域，器件结构包括超材料层、衬底层、金属板和金属电极；超材料层由周期性阵列结构组成，衬底层为具有负微分电阻效应的Ⅲ‑Ⅴ族半导体，金属板制作在衬底的下表面，两个金属电极制作在衬底的上表面；通过两个金属电极在半导体衬底上施加高偏置电压，在半导体衬底内部产生强横向电场，引起半导体材料的负微分电阻效应，改变半导体衬底的材料性质，从而影响此器件的谐振频率，形成了一种主动电调控太赫兹超材料器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 材料 结构 主动 调控 赫兹 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210538810.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
