[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202210544021.4 | 申请日： | 2022-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN116936518A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 高庆良;吴文杰;柯立苓 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/538;H01L21/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 康艳青;王琳 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体结构的制造方法包括：在绝缘层上形成介电层；蚀刻绝缘层及介电层，使绝缘层及介电层中具有开口，其中绝缘层的内侧壁与底部以及介电层的内侧壁从开口中裸露；注入复数个掺杂物于绝缘层的内侧壁与底部以及介电层的内侧壁上；以及在开口中及介电层上形成半导体层，其中半导体层形成在绝缘层上的第一生长速率不同于半导体层形成在介电层上的第二生长速率。当半导体层形成在开口中时，半导体层将不具有长条状的缝隙，可改善半导体层漏电及效能不佳等问题，因此提高了半导体结构的整体效能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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