[发明专利]一种高效垂直腔面EML芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202210544535.X | 申请日： | 2022-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN114649742B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 鄢静舟;李伟;薛婷;王坤;洪斌;谢福时;杨奕 | 申请（专利权）人： | 福建慧芯激光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01S5/183;H01S5/20 |
| 代理公司： | 泉州市博一专利事务所(普通合伙) 35213 | 代理人： | 洪渊源;苏秋桂 |
| 地址： | 362100 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高效垂直腔面EML芯片及其制备方法，涉及半导体光电子技术领域，其中高效垂直腔面EML芯片包括VCSEL单元、氧化隔离层和EOM单元，氧化隔离层设置于VCSEL单元和EOM单元之间，用于防止两单元接触处的电位影响各自单元内的工作电流。本发明突破性地在VCSEL单元和EOM单元之间设置具有电学绝缘效果的氧化隔离层来隔离施加到EOM单元的高频调制信号，使得VCSEL单元和EOM单元相对独立，防止高频调制信号对VCSEL单元中的电流产生影响，从而确保VCSEL单元的稳定输出。同时，该高效垂直腔面EML芯片的VCSEL单元结构采用隧穿结来代替传统的氧化限制层实现电学与光学限制，有利于提高VCSEL单元的出光效率，降低生产难度，提升良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效 垂直 eml 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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