[发明专利]一种范德瓦尔斯各向异性磁振子只读存储器及其实现方法在审
| 申请号： | 202210549770.6 | 申请日： | 2022-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN114864629A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 陈剑豪;齐少勉;陈迪;陈康垚;黄妙玲 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L43/06 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种范德瓦尔斯各向异性磁振子只读存储器及其实现方法。本发明利用范德瓦尔斯各向异性磁性绝缘体薄层中磁振子传输的各向异性，通过控制每个信息位上探测电极的长边取向，实现“0”和“1”信号的准确写入；在读取时，通过热注入的方式使得范德瓦尔斯各向异性磁性绝缘体薄层中产生磁振子的自旋流，并利用磁振子的长程量子输运以及界面自旋‑交换相互作用，在探测电极中引起了自旋流，并利用探测电极的强自旋轨道耦合特性，通过逆自旋霍尔效应测到了该自旋流引起的电压信号，从而能实现“0”和“1”信号的准确读取；本发明能够直接与基于磁振子的逻辑运算自旋电子学器件集成，用于新一代基于自旋的集成电路中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 瓦尔 各向异性 磁振子 只读存储器 及其 实现 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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