[发明专利]真随机数发生器及产生真随机数的方法在审

专利信息
申请号: 202210550931.3 申请日: 2022-05-18
公开(公告)号: CN114937735A 公开(公告)日: 2022-08-23
发明(设计)人: 曹易;王超;任睿智;鲁军;谭浩 申请(专利权)人: 北京量子信息科学研究院
主分类号: H01L43/06 分类号: H01L43/06;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/14;G06F7/58
代理公司: 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446 代理人: 何春晖;张莎莎
地址: 100193 北京市海淀区中*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种包括多层膜结构的真随机数发生器,所述多层膜结构包括:导电层,配置成通入第一电流;第一磁性层,位于所述导电层之上,易磁化方向垂直于所述导电层与所述第一磁性层的交界面,配置成在所述第一电流的焦耳热作用下,所述第一磁性层的磁矩克服翻转能量势垒向垂直于所述交界面向上或向下的方向随机翻转;自旋流抵消层,位于所述第一磁性层之上,用于抵消所述导电层与所述第一磁性层的交界面上产生的自旋流对所述第一磁性层的磁矩产生的自旋轨道矩。本发明所提供的真随机数发生器,通过增加自旋流抵消层抵消了来自导电层的自旋轨道矩,克服了在自旋轨道耦合效应下的垂直磁化异质结器件的磁矩难以等概率发生向上和向下翻转的问题。
搜索关键词: 随机数 发生器 产生 方法
【主权项】:
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