[发明专利]一种掺锗改善碳化硅单晶衬底面型参数的方法在审
| 申请号： | 202210551272.5 | 申请日： | 2022-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN115142123A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 王蓉;许彬杰;皮孝东;徐所成;王亚哲;陈鹏磊;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 盛影影 |
| 地址： | 311200 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种掺锗改善碳化硅单晶衬底面型参数的方法，在物理气相传输法(PVT)生长碳化硅单晶过程中掺入非电活性的锗杂质，锗杂质会钉扎硅核心不全位错，通过位错钉扎效应阻止Si核心不全位错的滑移，抑制单晶衬底在加工过程中的机械应力下的滑移，以实现改善碳化硅单晶衬底面型参数的目的。同时，为了控制生长初期锗的高蒸汽压，防止锗原子在生长表面的团簇效应，并保证生长过程中锗源的持续供应，实现晶体生长过程中的均匀掺杂，本发明使用锗烷(GeH |
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| 搜索关键词： | 一种 改善 碳化硅 衬底 参数 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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