[发明专利]一种碳化硅复合基板及其制造方法与应用在审
| 申请号： | 202210551401.0 | 申请日： | 2022-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN114864529A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 郭超;母凤文 | 申请（专利权）人： | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 赵颖 |
| 地址： | 100083 北京市海淀区花*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅复合基板及其制造方法与应用，所述碳化硅复合基板包括层叠设置的单晶层、中间层与多晶支撑层；所述中间层中包括第一杂质、第二杂质与第三杂质；所述多晶支撑层中包括第一杂质与第二杂质。本发明通过在中间层以及多晶支撑层中均设置第一杂质与第二杂质，降低了单晶层与多晶支撑层之间的电阻率；引入的第一杂质与第二杂质，能够根据需要调节多晶支撑层的热膨胀系数，在满足使多晶支撑层的电阻率需求基础上，能够使多晶支撑层的热膨胀系数与单晶层相当，避免热膨胀系数相差过大造成的热失配。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 复合 及其 制造 方法 应用 | ||
【主权项】：
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